K4N56163QF Datasheet, PDF (62/73 Pages) Samsung semiconductor – 256Mbit gDDR2 SDRAM

K4N56163QF-GC
256M gDDR2 SDRAM
Write to power down entry
T0
CK
CK
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
T0
T1
Tm Tm+1 Tm+2 Tm+3 Tx
Tx+1 Tx+2 Ty Ty+1 Ty+2 Ty+3
WR
BL=4
WL
DDDD
tWTR
T1
Tm Tm+1 Tm+2 Tm+3 Tm+4 Tm+5 Tx
Tx+1 Tx+2 Tx+3 Tx+4
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
WR
BL=8
WL
DDDDDDDD
tWTR
Write with Autoprecharge to power down entry
T0
CK
CK
CMD
T1
Tm
WRA
BL=4
Tm+1 Tm+2 Tm+3 Tx
Tx+1 Tx+2 Tx+3 Tx+4 Tx+5 Tx+6
PRE
CKE
DQ
DQS
DQS
T0
CK
CK
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
WL
DDDD
WR*1
T1
Tm Tm+1 Tm+2 Tm+3 Tm+4 Tm+5 Tx
Tx+1 Tx+2 Tx+3 Tx+4
WRA
BL=8
WL
DDDDDDDD
PRE
WR^*1
* 1: WR is programmed through MRS
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Rev 1.6 (Apr. 2005)