K5D5657ACM Datasheet, PDF (48/74 Pages) Samsung semiconductor – 256Mb NAND and 256Mb Mobile SDRAM

K5D5657ACM-F015
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
(a) CL=2, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
(b) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
v) CMD
DQM
DQ
RD WR
D0 D1 D2 D3
RD
WR
Hi-Z _{D0 D1 D2 D3}
RD
WR
Hi-Z _{D0 D1 D2 D3}
RD
WR
Q0 Hi-Z D0 D1 D2 D3
*1
RD WR
D0 D1 D2 D3
RD
WR
D0 D1 D2 D3
RD
WR
D0 D1 D2 D3
RD
WR
Hi-Z _{D0 D1 D2 D3}
RD
WR
Q0
Hi-Z
*1
D0
D1 D2
D3
PrelAimdvinanacrye
MCP MEMORY
*NOTE:
1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
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Revision 0.1
September 2003