K4F661612D Datasheet, PDF (27/35 Pages) Samsung semiconductor – 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE

Industrial Temperature
K4F661612D, K4F641612D
FAST PAGE MODE UPPER BYTE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D OUT = O P E N
CMOS DRAM
VIH -
RAS
VIL -
tRASP
¡ó
tRHCP
VIH -
UCAS
V IL -
tCRP
tR C D
tP C
tCP
tC A S
tP C
tCP
tCAS
¡ó
tRSH
t CAS
V IH -
LCAS
V IL -
VIH -
A
VIL -
tC R P
tA S R
tR A D
t RAH
tC S H
tASC
tCAH
ROW
ADDR.
COLUMN
ADDRESS
tRAL
tASC
tCAH
tASC t C A H
¡ó
COLUMN
ADDRESS
¡ó
COLUMN
ADDRESS
V IH -
W
V IL -
tWCS tWCH
tW P
tWCS
tW C H
tWCS
tW C H
tW P
¡ó
tW P
VIH -
OE
V IL -
DQ0 ~ DQ7
V IH -
V IL -
DQ8 ~ DQ15
V IH -
V IL -
tD S
t DH
VALID
DATA-IN
¡ó
¡ó
¡ó
¡ó
tDS
tDH
VALID
DATA-IN
tDS
tD H
¡ó
VALID
DATA-IN
¡ó
tRP
tR P C
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