K4F661612D Datasheet, PDF (25/35 Pages) Samsung semiconductor – 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE

Industrial Temperature
K4F661612D, K4F641612D
FAST PAGE MODE WORD WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D OUT = OPEN
CMOS DRAM
V IH -
RAS
V IL -
tRASP
¡ó
tRHCP
V IH -
UCAS
V IL -
V IH -
LCAS
V IL -
V IH -
A
V IL -
tC R P
tRCD
tP C
tCAS
tCRP
tRCD
tP C
tCAS
tA S R
t RAD
tR A H
tCSH
tASC
tCAH
ROW
ADDR
COLUMN
ADDRESS
tPC
tC P
tCP
tC A S
t RSH
tCAS
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tPC
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tRSH
tC A S
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tASC
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COLUMN
ADDRESS
tASC t CAH
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COLUMN
ADDRESS
¡ó
V IH -
W
V IL -
tWCS t W C H
tW P
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tW P
¡ó
tWCS
tWCH
tWP
tR P
tC R P
VIH -
OE
VIL -
DQ0 ~ DQ7
V IH -
V IL -
DQ8 ~ DQ15
V IH -
V IL -
tD S
t DH
VALID
DATA-IN
tD S
t DH
VALID
DATA-IN
¡ó
¡ó
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tDH
VALID
DATA-IN
tD S
tDH
¡ó
VALID
DATA-IN
¡ó
tD S
tDH
VALID
DATA-IN
tD S
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VALID
DATA-IN
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