K4E661612B Datasheet, PDF (22/36 Pages) Samsung semiconductor – 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

K4E661612B, K4E641612B
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CMOS DRAM
VIH -
RAS
VIL -
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UCAS
VIL -
tCRP
tRASP
tCSH
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tCAS
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tCP
tCAS
tRHCP
tHPC
tCP
tCAS
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VIH -
LCAS
VIL -
VIH -
A
VIL -
tCRP
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tCAS
tCP
tCAS
tCP
tCAS
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tCAS
tASR
tRAD
tRAH tASC
tCAH tASC tCAH
ROW
ADDR
COLUMN
ADDRESS
COLUMN
ADDRESS
tASC tCAH
COLUMN
ADDR
tASC tCAH
COLUMN
ADDRESS
tRP
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VIH -
W
VIL -
VIH -
OE
VIL -
DQ0 ~ DQ7
VOH -
VOL -
DQ8 ~ DQ15
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VOL -
tRCS
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tAA
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tOEA
tCAC
tAA
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tDOH
VALID
DATA-OUT
tOLZ
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VALID
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VALID
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VALID
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VALID
DATA-OUT
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