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K4B2G0446D Datasheet, PDF (27/64 Pages) Samsung semiconductor – 2Gb D-die DDR3L SDRAM
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K4B2G0446D
K4B2G0846D
datasheet
Rev. 1.01
DDR3L SDRAM
MR1 (A9,A6,A2)
RTT
RESISTOR
RTT120pd240
(0,1,0)
120 ohm
RTT120pu240
RTT120
RTT60pd240
(0,0,1)
60 ohm
RTT60pu240
RTT60
RTT40pd240
(0,1,1)
40 ohm
RTT40pu240
RTT40
RTT60pd240
(1,0,1)
30 ohm
RTT60pu240
RTT60
RTT60pd240
(1,0,0)
20 ohm
RTT60pu240
Deviation of VM w.r.t VDDQ/2, ∆VM
RTT60
1.5V
Vout
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.5XVDDQ
VOH(DC) 0.8XVDDQ
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.5XVDDQ
VOH(DC) 0.8XVDDQ
VIL(AC) to VIH(AC)
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.5XVDDQ
VOH(DC) 0.8XVDDQ
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.5XVDDQ
VOH(DC) 0.8XVDDQ
VIL(AC) to VIH(AC)
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.5XVDDQ
VOH(DC) 0.8XVDDQ
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.5XVDDQ
VOH(DC) 0.8XVDDQ
VIL(AC) to VIH(AC)
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.5XVDDQ
VOH(DC) 0.8XVDDQ
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.5XVDDQ
VOH(DC) 0.8XVDDQ
VIL(AC) to VIH(AC)
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.5XVDDQ
VOH(DC) 0.8XVDDQ
VOL(DC) 0.2XVDDQ
0.5XVDDQ
VOH(DC) 0.8XVDDQ
VIL(AC) to VIH(AC)
Min
Nom
Max
Unit
Notes
0.6
1.0
1.1
RZQ
1,2,3,4
0.9
1.0
1.1
RZQ
1,2,3,4
0.9
1.0
1.4
RZQ
1,2,3,4
0.9
1.0
1.4
RZQ
1,2,3,4
0.9
1.0
1.1
RZQ
1,2,3,4
0.6
1.0
1.1
RZQ
1,2,3,4
0.9
1.0
1.6
RZQ/2
1,2,5
0.6
1.0
1.1
RZQ/2
1,2,3,4
0.9
1.0
1.1
RZQ/2
1,2,3,4
0.9
1.0
1.4
RZQ/2
1,2,3,4
0.9
1.0
1.4
RZQ/2
1,2,3,4
0.9
1.0
1.1
RZQ/2
1,2,3,4
0.6
1.0
1.1
RZQ/2
1,2,3,4
0.9
1.0
1.6
RZQ/4
1,2,5
0.6
1.0
1.1
RZQ/3
1,2,3,4
0.9
1.0
1.1
RZQ/3
1,2,3,4
0.9
1.0
1.4
RZQ/3
1,2,3,4
0.9
1.0
1.4
RZQ/3
1,2,3,4
0.9
1.0
1.1
RZQ/3
1,2,3,4
0.6
1.0
1.1
RZQ/3
1,2,3,4
0.9
1.0
1.6
RZQ/6
1,2,5
0.6
1.0
1.1
RZQ/4
1,2,3,4
0.9
1.0
1.1
RZQ/4
1,2,3,4
0.9
1.0
1.4
RZQ/4
1,2,3,4
0.9
1.0
1.4
RZQ/4
1,2,3,4
0.9
1.0
1.1
RZQ/4
1,2,3,4
0.6
1.0
1.1
RZQ/4
1,2,3,4
0.9
1.0
1.6
RZQ/8
1,2,5
0.6
1.0
1.1
RZQ/6
1,2,3,4
0.9
1.0
1.1
RZQ/6
1,2,3,4
0.9
1.0
1.4
RZQ/6
1,2,3,4
0.9
1.0
1.4
RZQ/6
1,2,3,4
0.9
1.0
1.1
RZQ/6
1,2,3,4
0.6
1.0
1.1
RZQ/6
1,2,3,4
0.9
1.0
1.6
RZQ/12
1,2,5
-5
5
%
1,2,5,6
- 27 -
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