HYB25D128160CT Datasheet, PDF (67/85 Pages) Infineon Technologies AG – 128 Mbit Double Data Rate SDRAM

HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)
128 Mbit Double Data Rate SDRAM
Electrical Characteristics
Table 19 AC Timing - Absolute Specifications for PC3200, PC2700 and PC2100
Parameter
Symbol –5
–6
–7
Unit
DDR400B
DDR333
DDR266A
Min. Max. Min. Max. Min. Max.
DQS-DQ skew (DQS and
associated DQ signals)
t_DQSQ — +0.40 — +0.40 —
+0.5 ns
— +0.40 — +0.45 —
+0.5 ns
Data hold skew factor
t_QHS
—
+0.50 —
+0.50
— +0.50 — +0.55
+0.75 ns
+0.75 ns
DQ/DQS output hold time
t_QH
t_HP – —
t_HP – —
t_HP – —
ns
t_QHS
t_QHS
t_QHS
Note/ Test
Condition
1)
TFBGA
2)3)4)5)
TSOPII
2)3)4)5)
TFBGA
2)3)4)5)
TSOPII
2)3)4)5)
2)3)4)5)
DQS input low (high) pulse width t_DQSL,H 0.35 —
0.35 —
0.35 —
t_CK
(write cycle)
DQS falling edge to CK setup t_DSS
0.2 —
0.2 —
0.2 —
t_CK
time (write cycle)
DQS falling edge hold time from t_DSH
0.2 —
0.2 —
0.2 —
t_CK
CK (write cycle)
Mode register set command cycle t_MRD 2
—
2
—
2
time
—
t_CK
Write preamble setup time
t_WPRES 0
—
0
—
0
—
ns
Write postamble
t_WPST 0.40 0.60 0.40 0.60 0.40 0.60 t_CK
Write preamble
t_WPRE 0.25 —
0.25 —
0.25 —
t_CK
Address and control input setup t_IS
time
0.6 —
0.75 —
0.9 —
ns
0.7 —
0.8 —
1.0 —
ns
Address and control input hold t_IH
time
0.6 —
0.75 —
0.9 —
ns
0.7 —
0.8 —
1.0 1.1 ns
Read preamble
Read postamble
Active to Precharge command
Active to Active/Auto-refresh
command period
Auto-refresh to Active/Auto-
refresh command period
Active to Read or Write delay
Precharge command period
t_RPRE
t_RPST
t_RAS
t_RC
t_RFC
t_RCD
t_RP
0.9 1.1 0.9 1.1 0.9
0.40 0.60 0.40 0.60 0.40
40 70E+3 42 70E+3 45
55 —
60 —
65
1.0 t_CK
0.60 t_CK
120E+ ns
3
—
ns
70 —
72 —
75 —
ns
15 —
18 —
20 —
ns
15 —
18 —
20 —
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)9)
2)3)4)5)
fast slew
rate
3)4)5)6)10)
slow slew
rate
3)4)5)6)10)
fast slew
rate
3)4)5)6)10)
slow slew
rate
3)4)5)6)10)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
Data Sheet
67
Rev. 1.0, 2004-04