K4F661612B Datasheet, PDF (27/35 Pages) Samsung semiconductor – 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

K4F661612B,K4F641612B
FAST PAGE MODE UPPER BYTE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : DOUT = OPEN
CMOS DRAM
VIH -
RAS
VIL -
VIH -
UCAS
VIL -
VIH -
LCAS
VIL -
VIH -
A
VIL -
tCRP
tRCD
tCRP
tRASP
¡ó
tRHCP
tPC
tCP
tCAS
tPC
tCP
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tRSH
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tCAH
ROW
ADDR.
COLUMN
ADDRESS
tRAL
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COLUMN
COLUMN
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VIH -
W
VIL -
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tWCS tWCH
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VIH -
OE
VIL -
DQ0 ~ DQ7
VIH -
VIL -
DQ8 ~ DQ15
VIH -
VIL -
tDS tDH
VALID
DATA-IN
¡ó
¡ó
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tDS tDH
VALID
DATA-IN
tDS tDH
¡ó
VALID
DATA-IN
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