S6E2HE4E0A Datasheet, PDF (96/164 Pages) –

初版
S6E2HE 系列
独立总线同步 SRAM 访问模式
参数
地址延迟时间
MCSX 延迟时间
MOEX 延迟时间
数据建立到 MCLK
上升沿时间
MCLK 上升沿到
数据保持时间
MWEX 延迟时间
MDQM[1:0]
延迟时间
MCLK 上升沿到
数据输出时间
MCLK 上升沿到
数据保持的时间
符号
tAV
tCSL
tCSH
tREL
tREH
tDS
tDH
tWEL
tWEH
tDQML
tDQMH
tODS
tOD
引脚名称
MCLK，
MAD[24:0]
MCLK，
MCSX[7:0]
MCLK，
MWEX
MCLK，
MADATA[15:0]
MCLK，
MADATA[15:0]
MCLK，
MWEX
MCLK，
MDQM[1:0]
MCLK，
MADATA[15:0]
MCLK，
MADATA[15:0]
注意：
− 外部负载电容 CL 为 30 pF
条件
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
VCC ≥ 4.5 V
VCC < 4.5 V
（VCC = 2.7 V ~ 5.5 V，VSS = 0 V）
最小值
1
1
1
1
1
19
37
值
最大值
9
12
9
12
9
12
9
12
9
12
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
–
ns
9
1
ns
12
9
1
ns
12
9
1
ns
12
1
9
ns
12
MCLK+18
MCLK+1
ns
MCLK+24
18
1
ns
24
文档编号：002-00219 版本**
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