S6E2HE4E0A Datasheet, PDF (153/164 Pages) –

初版
S6E2HE 系列
12.8
主闪存写入/擦除特性
参数
扇区擦除时间
半字（16 位）
写入时间
大扇区
小扇区
写周期
< 100 次
写入次数 > 100 次
芯片擦除时间
最小值
–
–
–
数值
典型值
0.7
0.3
12
13.6
最大值
3.7
1.1
100
200
68
单位
s
μs
s
备注
（VCC = 2.7 V ~ 5.5 V）
包括内部擦除前的写入时间
不包括系统级占用时间
包括内部擦除前的写入时间
写入次数和数据保存时间
擦除/写入次数
数据保持时间（年）
1,000
20 *
10,000
10 *
100,000
5*
*：该值通过技术参考获取（使用 Arrhenius 方程，将高温加速测试的结果转换为+ 85°C 下的平均温度值）。
12.9
工作闪存写入/擦除特性
参数
扇区擦除时间
半字（16 位）
写入时间
芯片擦除时间
最小值
–
–
数值
典型值
0.3
20
–
1.2
最大值
1.5
200
6
单位
s
μs
备注
包括内部擦除前的写入时间
不包括系统级占用时间
s 包括内部擦除前的写入时间
（VCC = 2.7 V ~ 5.5 V）
写入次数和数据保存时间
擦除/写入次数
数据保持时间（年）
1,000
20 *
10,000
10 *
100,000
5*
*：该值通过技术参考获取（使用 Arrhenius 方程，将高温加速测试的结果转换为+ 85°C 下的平均温度值）。
文档编号：002-00219 版本**
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