S6E2HE4E0A Datasheet, PDF (83/164 Pages) –

初版
S6E2HE 系列
参数
电源电流
符号
ICCHD
ICCRD
引脚名称
条件
深度待机
停止模式
（RAM 关闭）
VCC
深度待机
停止模式
（RAM 激活）
深度待机
RTC 模式^*6
（RAM 关闭）
深度待机
RTC 模式^*6
（RAM 激活）
频率
–
32kHz
值
典型值^*1 最大值*²
24
待定
–
待定
–
待定
41
待定
–
待定
–
待定
24
待定
–
待定
–
待定
41
待定
–
待定
–
待定
0.015
待定
RTC 停止
–
待定
ICCVBAT
VBAT
–
待定
–
1.3
待定
RTC 工作^*6
–
待定
–
待定
表 12-9 深度待机停止模式、深度待机 RTC 模式和 VBAT 条件下电流消耗典型值和最大值
*1：VCC = 3.3 V
*2：VCC = 5.5 V
*3：所有端口为固定电平
*4：LVD 关闭
*5：副振荡关闭
*6：使用 32 kHz 的晶振（包含振荡电路所消耗的电流）
单位
备注
µA
*3，*4
TA = +25°C
µA
*3，*4
TA = +85°C
µA
*3，*4
TA = +105°C
µA
*3，*4
TA = +25°C
µA ^*3，*4
TA = +85°C
µA ^*3，*4
TA = +105°C
µA ^*3，*4
TA = +25°C
µA ^*3，*4
TA = +85°C
µA ^*3，*4
TA = +105°C
µA
*3，*4
TA = +25°C
µA ^*3，*4
TA = +85°C
µA
*3，*4
TA = +105°C
µA
*3，*4，*5
TA = +25°C
µA
*3，*4，*5
TA = +85°C
µA
*3，*4，*5
TA = +105°C
µA
*3，*4
TA = +25°C
µA
*3，*4
TA = +85°C
µA ^*3，*4
TA = +105°C
文档编号：002-00219 版本**
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