S6E2HE4E0A Datasheet, PDF (72/164 Pages) –

初版
S6E2HE 系列
12.2
推荐工作条件
参数
符号
条件
供电电压
VCC
–
供电电压（VBAT）
VBAT
–
模拟供电电压
AVCC
–
模拟参考电压
AVRH
–
工作温度
结温
环境温度
TJ
–
TA
–
*1：结温（TJ）允许值决定环境温度（TA）的最大动态范围。
环境温度（TA）的计算公式如下：
TA（最大值）= TJ（最大值）- Pd（最大值）× θja
Pd：
θja：
功耗（W）
封装热阻（°C/W）
值
最小值 最大值
2.7*3
5.5
2.7
5.5
2.7
5.5
*2
AVCC
- 40
+ 125
- 40
*1
单位
备注
V
V
V AVCC=VCC
V
°C
°C
Pd（最大值）= VCC × ICC（最大值） + Σ（IOL×VOL）+ Σ（（VCC-VOH）×（- IOH））
IOL：
IOH：
VOL：
VOH：
低电平输出电流
高电平输出电流
低电平输出电压
高电平输出电压
各种封装的热阻和最大允许功耗如下。
当半导体器件功耗小于或等于最大允许值时，可确保正常运行。
*2：模拟参考电压的最小值取决于比较时钟周期值（Tcck）。更多详细信息，请参考第 12.5 节“12 位 A/D 转换器”。
*3: 如果工作电压等于或大于低压复位/中断检测电压，并且小于供电电压的最小值，这时只能执行由内置高速 CR（包括所使用的
主 PLL）或内置低速 CR 提供时钟的指令和低压检测功能。
各种封装的热阻和最大允许功耗列表
封装
印刷电路板
LQH080
（间距为 0.5 mm）
LQI100
（间距为 0.5 mm）
LQM120
（间距为 0.5 mm）
FDI121
（间距为 0.5 mm）
单层双面
四层
单层双面
四层
单层双面
四层
单层双面
四层
热阻 θja（°C/W）
82
56
59
39
71
50
63
37
最大允许功耗
（mW）
TA = +85°C
TA = +105°C
488
244
714
357
678
339
1026
513
563
282
800
400
635
317
1081
540
警告：
1.
需要遵循所推荐的工作条件，以确保半导体器件正常运行。器件在这些条件下运行时，所有器件的电气特性均
能得到保证。
要根据推荐的工作条件来使用半导体器件。
在其他条件下进行操作可能会影响器件的可靠性，并会导致器件故障。
赛普拉斯公司对本数据手册中没有显示的使用、工作条件或组合不作任何担保。除了这里所列出的条件外，如果您想要在其他条
件下使用这些应用，请提前联系销售部门。
文档编号：002-00219 版本**
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