S6E2HE4E0A Datasheet, PDF (103/164 Pages) –

初版
S6E2HE 系列
SDRAM 模式
输出频率
地址延迟时间
参数
MSDCLK 上升沿到数据输出延迟时间
MSDCLK 上升沿到数据输出高阻态的时间
MDQM[1:0] 延迟时间
MCSX 延迟时间
MRASX 延迟时间
MCASX 延迟时间
MSDWEX 延迟时间
MSDCKE 延迟时间
数据建立时间
数据保持时间
注意：
− 外部负载电容 CL 为 30 pF
符号
tCYCSD
tAOSD
tDOSD
tDOZSD
tWROSD
tMCSSD
tRASSD
tCASSD
tMWESD
tCKESD
tDSSD
tDHSD
引脚名称
MSDCLK
MSDCLK，
MAD[15: 0]
MSDCLK，
MADATA[31:0]
MSDCLK，
MADATA[31:0]
MSDCLK，
MDQM[1:0]
MSDCLK，
MCSX8
MSDCLK，
MRASX
MSDCLK，
MCASX
MSDCLK，
MSDWEX
MSDCLK，
MSDCKE
MSDCLK，
MADATA[31:0]
MSDCLK，
MADATA[31:0]
（VCC = 2.7 V ~ 3.6 V，VSS = 0 V）
值
最小值
最大值
–
32
单位
MHz
2
12
ns
2
12
ns
2
20
ns
1
12
ns
2
12
ns
2
12
ns
2
12
ns
2
12
ns
2
12
ns
23
–
ns
0
–
ns
文档编号：002-00219 版本**
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