PD46184095B_15 Datasheet, PDF (2/34 Pages) Renesas Technology Corp – 18M-BIT DDR II SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION

μPD46184095B, μPD46184185B
Ordering Information
Part No.
μPD46184095BF1-E33-EQ1-A
μPD46184095BF1-E40-EQ1-A
μPD46184185BF1-E33-EQ1-A
μPD46184185BF1-E40-EQ1-A
μPD46184095BF1-E33Y-EQ1-A
μPD46184095BF1-E40Y-EQ1-A
μPD46184185BF1-E33Y-EQ1-A
μPD46184185BF1-E40Y-EQ1-A
μPD46184095BF1-E33-EQ1
μPD46184095BF1-E40-EQ1
μPD46184185BF1-E33-EQ1
μPD46184185BF1-E40-EQ1
μPD46184095BF1-E33Y-EQ1
μPD46184095BF1-E40Y-EQ1
μPD46184185BF1-E33Y-EQ1
μPD46184185BF1-E40Y-EQ1
Organization
(word x bit)
2M x 9
1M x 18
2M x 9
1M x 18
2M x 9
1M x 18
2M x 9
1M x 18
Cycle
time
3.3ns
4.0ns
3.3ns
4.0ns
3.3ns
4.0ns
3.3ns
4.0ns
3.3ns
4.0ns
3.3ns
4.0ns
3.3ns
4.0ns
3.3ns
4.0ns
Clock
frequency
300MHz
250MHz
300MHz
250MHz
300MHz
250MHz
300MHz
250MHz
300MHz
250MHz
300MHz
250MHz
300MHz
250MHz
300MHz
250MHz
Core
Supply
Voltage
1.8 ± 0.1
1.8 ± 0.1
1.8 ± 0.1
1.8 ± 0.1
Operating
Ambient
Temperature
TA = 0 to 70°C
TA = −40 to 85°C
Package
165-pin
PLASTIC
BGA
(13 x 15)
Lead-free
TA = 0 to 70°C
TA = −40 to 85°C
165-pin
PLASTIC
BGA
(13 x 15)
Lead
R10DS0115EJ0200 Rev.2.00
Nov 09, 2012
Page 2 of 34