HYB25D512800BT Datasheet, PDF (27/38 Pages) Infineon Technologies AG – 512Mbit Double Data Rate SDRAM

Internet Data Sheet
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T](L)
Double-Data-Rate SDRAM
Parameter
Symbol
TABLE 19
AC Timing - Absolute Specifications for PC3200 and PC2700
–5
DDR400B
–6
DDR333
Unit Note¹⁾/Test
Condition
DQ output access time from
t_AC
CK/CK
CK high-level width
t_CH
Clock cycle time
t_CK
CK low-level width
t_CL
Auto precharge write recovery + t_DAL
precharge time
DQ and DM input hold time
DQ and DM input pulse width
(each input)
t_DH
t_DIPW
DQS output access time from
CK/CK
t_DQSCK
DQS input low (high) pulse width t_DQSL,H
(write cycle)
DQS-DQ skew (DQS and
associated DQ signals)
t_DQSQ
Write command to 1^st DQS
latching transition
t_DQSS
DQ and DM input setup time
t_DS
DQS falling edge hold time from t_DSH
CK (write cycle)
DQS falling edge to CK setup time t_DSS
(write cycle)
Clock Half Period
t_HP
Data-out high-impedance time t_HZ
from CK/CK
Address and control input hold t_IH
time
Control and Addr. input pulse
t_IPW
width (each input)
Min.
–0.5
Max.
+0.5
0.45
0.55
5
8
6
12
7.5
12
0.45
0.55
(t_WR/t_CK)+(t_RP/t_CK)
0.4
—
1.75
—
–0.6
+0.6
0.35
—
—
+0.40
—
+0.40
0.72
1.25
0.4
—
0.2
—
0.2
—
min. (t_CL, t_CH)
—
—
+0.7
0.6
—
0.7
—
2.2
—
Min.
–0.7
0.45
6
6
7.5
0.45
0.45
1.75
–0.6
0.35
—
—
0.75
0.45
0.2
0.2
min. (t_CL, t_CH)
–0.7
0.75
0.8
2.2
Max.
+0.7
ns
2)3)4)5)
0.55
12
12
12
0.55
—
—
t_CK
2)3)4)5)
ns CL = 3.0 ^2)3)4)5)
ns CL = 2.5 ^2)3)4)5)
ns CL = 2.0 ^2)3)4)5)
t_CK
2)3)4)5)
t_CK
2)3)4)5)6)
ns
2)3)4)5)
ns
2)3)4)5)6)
+0.6
ns
2)3)4)5)
—
t_CK
2)3)4)5)
+0.40 ns TFBGA
2)3)4)5)
+0.45 ns TSOPII
2)3)4)5)
1.25
t_CK
2)3)4)5)
—
ns
2)3)4)5)
—
t_CK
2)3)4)5)
—
t_CK
2)3)4)5)
—
+0.7
ns
2)3)4)5)
ns
2)3)4)5)7)
—
ns fast slew rate
3)4)5)6)8)
—
ns slow slew
rate^3)4)5)6)8)
—
ns
2)3)4)5)9)
Rev. 1.63, 2006-09
27
03062006-PFFJ-YJY2