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MB85RC128A Datasheet, PDF (13/32 Pages) Fujitsu Component Limited. – 128 K (16 K × 8) ビットI2C
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MB85RC128A
■ 電源投入・切断シーケンス
VDD が 2V を切った後に電源の再立ち上げを行う場合は , 誤動作を回避するために VDD を 0V から立ち上げる必要が
あります ( 下図参照 )。
tpd
VDD
tr
tpu
VDD
2.7 V
VIH (Min)
2.7 V
VIH (Min)
1.0 V
VIL (Max)
1.0 V
VIL (Max)
0V
0V
SDA, SCL
SDA, SCL >VDD × 0.8 ∗
＊：SDA, SCL (Max) ＜ VDD ＋ 0.5 V
SDA, SCL : Don't care SDA, SCL >VDD × 0.8 ∗ SDA, SCL
項目
記号
規格値
最小
最大
単位
電源 OFF 時の SDA, SCL レベル保持時間
tpd
85

ns
電源 ON 時の SDA, SCL レベル保持時間
tpu
85

ns
電源立上げ時間
tr
10

s
規定されたリードサイクル , ライトサイクルまたは電源投入・切断シーケンスを守らない動作が実行された場合 , 記憶
データの保証はできません。
■ FRAM の特性
項目
最小
最大
単位
パラメータ
書込み / 読出し耐性 *1
データ保持特性 *2
1012
10
95
≧ 200

回 / バイト 動作周囲温度 TA ＝＋ 85 C

動作周囲温度 TA ＝＋ 85 C

å¹´
動作周囲温度 TA ＝＋ 55 C

動作周囲温度 TA ＝＋ 35 C
＊ 1： FRAM は破壊読出しを行っているため , 書込みおよび読出し回数の合計が書込み / 読出し耐性の最小値です。
＊ 2： データ保持特性の最小年数は , 出荷直後に初めて読み書きしたデータの保持時間です。
これらの保持時間は , 信頼性評価結果からの換算値です。
■ 使用上の注意
・ IR リフロー前に書き込まれたデータを IR リフロー後に保持することは , 保証していません。
・ スタート・コンディションからストップ・コンディションまでのアクセス期間中 , WP, A0, A1, A2 信号は VDD 端子レベ
ルまたは VSS 端子レベルに固定してください。
DS501-00018-2v0-J
13
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