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MB85RC128A Datasheet, PDF (1/32 Pages) Fujitsu Component Limited. – 128 K (16 K × 8) ビットI2C
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00018-2v0-J
メモリ FRAM
128 K (16 K × 8) ビット I2C
MB85RC128A
■ 概 要
MB85RC128A は , 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲート CMOS プロセスを用いた 16,384
ワード× 8 ビット構成の FRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。
MB85RC128A は , SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用しなくてもデータ保持が可能です。
MB85RC128A に採用しているメモリセルは書込み / 読出し動作でバイトあたり最低 1012 回の耐久性があり , ほかの不揮
発性メモリ製品よりも大きく上回ります。
MB85RC128A では , フラッシュメモリや E2PROM のような長い書込み時間は不要のため , 1 バイト 単位での書込みを
実現しています。したがって , ライトビジー状態のような書込み完了待ちシーケンスは必要としません。
■ 特 長
・ ビット構成
・ 2 線式シリアルインタフェース
・ 動作周波数
・ 書込み / 読出し耐性
・ データ保持特性
・ 動作電源電圧
・ 低消費電力
・ 動作温度範囲
・ パッケージ
:16,384 ワード× 8 ビット
:シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
:1 MHz (Max)
:1012 回 / バイト
:10 年 ( + 85 C), 95 年 ( + 55 C), 200 年以上 ( + 35 C)
:2.7 V ~ 3.6 V
:動作電流 250 A (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 A (Typ)
:- 40 C ~+ 85 C
:プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。
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2013.2