S8S3122X16 Datasheet, PDF (3/44 Pages) Samsung semiconductor – 256K x 16 SDRAM

S8S3122X16
CMOS SDRAM
S Y S . L S I [ C u s t o m D R A M ] Á ¦Ç °± ºÅ ëÇ ÕÄ Úµ åà ¼° èµ µ
N e w C D R A M C o d e Inform a tio n
S8XXXXXXXX -XXXX
(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15)
Å ëÇ ÕC o d e
(1) System LSI (S)
(2) CDRAM : 8
( 3 ) ¼ Òº з ù
E : EDO
S : SDRAM
(4) ~ (5) Density & Refresh
10 : 1M,1K/8ms
20 : 2M,1K/8ms
30 : 4M,512/8ms
32 : 4M,2K/32ms
40 : 8M,2K/32ms
11 : 1M,1K/16ms
21 : 2M,1K/16ms
31 : 4M,1K/16ms
41 : 8M,1K/16ms
(6)
Bank
1 : 1Bank
3 : 4Bank
5 : 16Bank
2 : 2Bank
4 : 8Bank
6 : 32Bank
(7) Interface ( VDD, VDDQ )
1 : TTL,5.0V,5.0V
2 : LVTTL,3.3V,3.3V
3 : LVTTL,3.0V,3.0V
4 : LVTTL,2.5V,2.5V
0 : NONE,NONE,NONE
(8)
Version
X : 1st Generation
B : 3rd Generation
D : 5th Generation
F : 7th Generation
A : 2nd Generation
C : 4th Generation
E : 6th Generation
(9) ~ (10) Organization
01 : x1
04 : x4
16 : x16
32 : x32
( 1 1 ) “ ¦ ¡”
08 : x8
( 1 2 ) P a c k a g e ( A G 1 0 0 0 ± âÁ )Ø
T : TSOP2-400
C : CHIP BIZ
W : WAFER
(13)
Temp & Power
C : Commercial,Normal
L : Commercial,Low
I : Industrial,Normal
P : Industrial,Low
(14)
Packing “Packing Type Reference”
B : Tube
U : Bulk
R : Tray
T : Tape & Reel
C : Chip Biz
S : Tape & Reel Reverse
W : WF Biz Draft Wafer
X : WF Biz Full Cutting
( 1 5 ) S p e e d ( W a f e r / C h i p B i z ´ Â 0 À )Ó
¡ ÜE D O
1 : 100ns
2 : 80ns
3 : 60ns
4 : 50ns
¡ ÜS D R A M
1 : 10ns
3 : 7ns
2 : 8ns
4 : 6ns
Ver 0.0 Sep. '01