S8S3122X16 Datasheet, PDF (18/44 Pages) Samsung semiconductor – 256K x 16 SDRAM

S8S3122X16
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
(a) CL=2, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
RD WR
D0 D1 D2 D3
RD
WR
DQM
DQ
iii) CMD
Hi-Z _D0
D1
D2
D3
RD
WR
DQM
DQ
iv) CMD
Hi-Z _D0
D1
D2
D3
RD
WR
DQM
DQ
(b) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
Q0 ^Hi-Z D0
D1
D2
D3
Note 1
RD WR
D0 D1 D2 D3
RD
WR
DQM
DQ
iii) CMD
D0 D1 D2 D3
RD
WR
DQM
DQ
iii) CMD
RD
D0 D1 D2 D3
WR
DQM
DQ
iv) CMD
RD
Hi-Z _D0
D1
D2
D3
WR
DQM
DQ
Hi-Z
Q0
D0 D1 D2 D3
Note 1
*Note : 1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
CMOS SDRAM
Ver 0.0 Sep. '01