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| Q65110A2486 Datasheet, PDF (8/10 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package | |||
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SFH 325, SFH 325 FA
Lötbedingungen
Soldering Conditions
Reflow Lötprofil für bleifreies Löten
Reflow Soldering Profile for lead free soldering
300
ËC
T 250
200
240 ËC
217 ËC
150
tS
100
Vorbehandlung nach JEDEC Level 2ï
Preconditioning acc. to JEDEC Level 2ï
(nach J-STD-020D.01)ï
(acc. to J-STD-020D.01)
OHA04525
Tp 245 ËC
tP
tL
50
25 ËC
0
0
50
100
150
200
250
s 300
t
Profileigenschaftenï
Profile Feature
Bleifreier Aufbau / Pb-Free Assembly (SnAgCu)
Empfehlung / Recommendation Grenzwerte / Max. Ratings
Aufheizrate zum Vorwärmen*) / ï
Ramp-up rate to preheat*)
2K/s
25 °C to 150 °C
3K/s
Zeit ts von TSmin bis TSmax /ï
Time ts from TSmin to TSmax
150 °C to 200 °C
Aufheizrate zur Spitzentemperatur*) / ï
Ramp-up rate to peak*)
180 °C to TP
Liquidustemperatur TL /ï
Liquidus temperature TL
Zeit tL über TL / Time tL above TL
Spitzentemperatur TP / Peak temperature TP
Verweilzeit tP innerhalb des spezifizierten
Spitzentemperaturbereichs TP - 5 K / Time tP within the
specified peak temperature range TP - 5 K
Abkühlrate*) / Ramp-down rate*)
TP to 100 °C
Zeitspanne von 25 °C bis zur Spitzentemperatur / ï
Time from 25 °C to peak temperature
100 s
2K/s
80 s
245 °C
20 s
3K/s
min. 60 s max. 120 s
3K/s
217 °C
max. 100 s
max. 250 °C
min. 10 s max. 30 s
4 K / s maximum
max. 8 min.
Alle Temperaturen beziehen sich auf die Bauteilmitte, jeweils auf der Bauteiloberseite gemessen / All temperatures refer to the center of
the package, measured on the top of the package
* Steigungsberechnung ïT/ït: ït max. 5 s; erfüllt über den gesamten Temperaturbereich / slope calculation ïT/ït: ït max. 5 s; fulfillment
for the whole T-range
2013-01-16
8
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