Q65110A2486 Datasheet, PDF (2/10 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

Grenzwerte 
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, 10s
Collector surge current
Verlustleistung, T_A = 25 C
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
V_CE
I_C
I_CS
P_tot
R_thJA
SFH 325, SFH 325 FA
Wert
Value
– 40 … + 100
Einheit
Unit
C
35
V
15
mA
75
mA
165
mW
450
K/W
2013-01-16
2