Q65110A2486 Datasheet, PDF (1/10 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED^®-Gehäuse
Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED^®-Package
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 325
SFH 325 FA
SFH 325
SFH 325 FA

gemäß OS-PCN-2012-008-A/ according to OS-PCN-2012-008-A
Wesentliche Merkmale
Features
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1120 nm (SFH 325) und bei
750 nm bis 1120 nm (SFH 325 FA)
• Hohe Linearität
• Especially suitable for applications from
450 nm to 1120 nm (SFH 325) and from
750 nm to 1120 nm (SFH 325 FA)
• High linearity
• P-LCC-2 Gehäuse
• Gruppiert lieferbar
• P-LCC-2 package
• Available in groups
Anwendungen
Applications
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Typ 
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 325¹⁾
SFH 325-3¹⁾
SFH 325-3/-4¹⁾
SFH 325-4¹⁾
SFH 325 FA¹⁾
SFH 325 FA-3¹⁾
SFH 325 FA-3/-4¹⁾
SFH 325 FA-4¹⁾
Q65110A2486
Q65110A2488
Q65110A2491
Q65110A2484
Q65110A2487
Q65110A2482
Q65110A2490
Q65110A2485
Fotostrom , (E_e=0,1mW/cm²,=950nm V_CE = 5 V)
Photocurrent
Ipce (A)
> 16
25-50
25-80
40-80
> 16
25-50
25-80
40-80
1) _{Gruppierung erfolgt in Halbgruppen (siehe Seite 4), Verpackungseinheit = nur eine Halbgruppe / binning in half}
groups (see page 4), packing unit = only one half group
2013-01-16
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