Q65110A2486 Datasheet, PDF (3/10 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

SFH 325, SFH 325 FA
Kennwerte (T_A = 25 C,  = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche220m)
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Halbwinkel
Half angle
Kapazität, V_CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V_CE = 20 V, E = 0
Symbol
Symbol
_{S max}
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 325 SFH 325 FA
980
980
nm

450 … 1120 750 … 1120 nm
A
L  B
LW

C_CE
I_CEO
0.038
0.038
mm²
0.45  0.45 0.45  0.45 mm  mm
 60
 60
Grad
deg.
5.0
5.0
pF
1 (50)
1 (50)
nA
2013-01-16
3