Q65110A2486 Datasheet, PDF (4/10 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package

SFH 325, SFH 325 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2A
Fotostrom, 950 nm
Photocurrent
E_e = 0.1 mW/cm², V_CE = 5 V
SFH 325:
E_v = 1000 Ix, 
Normlicht/standard light A,
V_CE = 5 V

I_{PCE minï€} 
16
I_{PCE max} 25

I_PCE
360
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
t_r, t_f
6
I_C = 1 mA, V_CC = 5 V, R_L = 1 k
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung V_CEsat 150
Collector-emitter saturation voltage
I_C
=
I 1)
PCEmin

0.3,

E_e = 0.1 mW/cm²
-2B
20
32
450
6
150
-3A
25
40
570
7
150
-3B
32
50
720
7
150
-4A
40
63
900
8
150
-4B

50 A
80 A

1140 A
8 s
150 mV
1) _{IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.}
1) _{IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.}
Directional Characteristics S_rel = f ()
40
30
20 10
0
ϕ
1.0
50
0.8
60
0.6
OHF01402
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0 0.8 0.6
0.4
0
20 40 60 80 100 120
2013-01-16
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