CFY25 Datasheet, PDF (6/8 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)

CFY25
Typical Common Source S-Parameters CFY25-20 (continued)
f
[GHz]
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
|S11|
[mag]
0,953
0,921
0,892
0,861
0,836
0,814
0,790
0,768
0,749
0,731
0,714
0,699
0,683
0,669
0,657
0,645
0,632
0,620
0,609
0,600
0,592
0,586
0,579
0,574
0,571
0,566
0,563
0,561
0,559
0,556
0,556
0,556
0,557
0,559
0,561
0,565
<S11
[ang]
-24
-30
-39
-49
-60
-72
-83
-94
-104
-114
-124
-133
-141
-149
-157
-165
-173
179
171
163
154
146
138
130
123
115
107
99
91
83
75
66
58
50
45
40
V_DS = 3 V, I_D = 30 mA, Z_o = 50 ?
|S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22
[mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang]
3,987 159 0,0140 74 0,657 -15
3,858 153 0,0246 67 0,647 -18
3,714 146 0,0346 60 0,634 -23
3,583 138 0,0444 55 0,621 -28
3,484 128 0,0543 49 0,608 -35
3,374 118 0,0621 43 0,594 -41
3,254 108 0,0684 38 0,576 -47
3,129 99 0,0736 32 0,557 -53
3,007 90 0,0779 27 0,541 -59
2,890 82 0,0810 22 0,527 -65
2,776 73 0,0844 18 0,515 -72
2,662 65 0,0863 14 0,505 -78
2,556 57 0,0880 10 0,498 -84
2,458 50 0,0893 6 0,492 -89
2,374 42 0,0904 3 0,486 -94
2,299 35 0,0918 0 0,480 -99
2,233 28 0,0933 -2 0,474 -103
2,174 21 0,0945 -5 0,467 -108
2,120 14 0,0960 -8 0,459 -112
2,071 7 0,0976 -10 0,453 -118
2,026 0 0,0990 -13 0,446 -123
1,984 -7 0,1006 -16 0,441 -129
1,947 -14 0,1026 -19 0,436 -136
1,910 -21 0,1047 -22 0,432 -142
1,876 -29 0,1066 -25 0,428 -149
1,842 -36 0,1088 -28 0,425 -155
1,806 -43 0,1108 -32 0,424 -161
1,774 -50 0,1140 -35 0,422 -167
1,745 -57 0,1170 -39 0,421 -173
1,719 -64 0,1199 -43 0,419 -179
1,698 -72 0,1229 -48 0,417 175
1,676 -79 0,1257 -53 0,414 168
1,653 -87 0,1286 -58 0,412 162
1,646 -93 0,1320 -63 0,410 157
1,649 -99 0,1350 -67 0,409 152
1,656 -103 0,1376 -71 0,407 148
k-Fact. S₂₁/S₁₂
[mag] [dB]
0,49 24,5
0,53 22,0
0,56 20,3
0,59 19,1
0,58 18,1
0,60 17,4
0,63 16,8
0,67 16,3
0,70 15,9
0,74 15,5
0,78 15,2
0,83 14,9
0,88 14,6
0,93 14,4
0,98 14,2
1,02 14,0
1,07 13,8
1,11 13,6
1,15 13,4
1,18 13,3
1,21 13,1
1,23 12,9
1,24 12,8
1,25 12,6
1,26 12,5
1,27 12,3
1,28 12,1
1,27 11,9
1,26 11,7
1,26 11,6
1,24 11,4
1,23 11,2
1,23 11,1
1,20 11,0
1,16 10,9
1,13 10,8
MAG
[dB]
13,1
12,2
11,6
11,1
10,7
10,4
10,1
9,8
9,6
9,4
9,2
9,0
8,8
8,7
8,5
8,4
8,3
8,2
8,3
8,4
8,6
Semiconductor Group
6 of 8
Draft D, Sep. 0000