CFY25 Datasheet, PDF (5/8 Pages) Siemens Semiconductor Group – GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)

CFY25
Typical Common Source S-Parameters CFY25-20
f |S11|
[GHz] [magn
]
0,5 0,958
1,0 0,931
1,5 0,901
2,0 0,875
2,5 0,858
3,0 0,838
3,5 0,815
4,0 0,794
4,5 0,776
5,0 0,760
5,5 0,746
6,0 0,732
6,5 0,718
7,0 0,703
7,5 0,689
8,0 0,674
8,5 0,661
9,0 0,650
9,5 0,640
10,0 0,629
10,5 0,620
11,0 0,613
11,5 0,607
12,0 0,600
12,5 0,593
13,0 0,587
13,5 0,580
14,0 0,575
14,5 0,572
15,0 0,568
15,5 0,565
16,0 0,565
16,5 0,564
17,0 0,564
17,5 0,564
18,0 0,567
V_DS = 3 V, I_D = 15 mA, Z_o = 50 ?
<S11 |S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22 k-Fact. S₂₁/S₁₂
[angle [magn [angle [magn [angle [magn [angle [magn] [dB]
]
]
]
]
]
]
]
-22 3,301 160 0,0170 71 0,683 -14 0,44 22,9
-28 3,208 155 0,0287 64 0,673 -18 0,50 20,5
-36 3,107 148 0,0398 59 0,660 -23 0,54 18,9
-45 3,016 139 0,0502 53 0,648 -29 0,56 17,8
-56 2,950 130 0,0602 47 0,635 -35 0,55 16,9
-67 2,877 120 0,0691 42 0,621 -41 0,56 16,2
-78 2,795 111 0,0767 36 0,603 -48 0,58 15,6
-88 2,708 102 0,0834 31 0,590 -54 0,61 15,1
-98 2,621 93 0,0893 25 0,573 -60 0,64 14,7
-108 2,537 84 0,0939 20 0,562 -67 0,66 14,3
-117 2,451 76 0,0975 15 0,549 -73 0,69 14,0
-126 2,365 68 0,1000 10 0,539 -80 0,72 13,7
-135 2,281 60 0,1017 5 0,529 -86 0,77 13,5
-143 2,202 52 0,1035 1 0,521 -91 0,81 13,3
-150 2,133 45 0,1049 -3 0,511 -96 0,87 13,1
-158 2,072 38 0,1056 -6 0,504 -101 0,92 12,9
-166 2,020 30 0,1063 -10 0,495 -106 0,97 12,8
-174 1,976 23 0,1068 -13 0,484 -111 1,02 12,7
178 1,933 16 0,1076 -16 0,474 -116 1,06 12,5
170 1,896 9 0,1080 -20 0,463 -121 1,11 12,4
162 1,859 2 0,1084 -23 0,452 -127 1,16 12,3
153 1,826 -5 0,1090 -26 0,443 -133 1,19 12,2
145 1,797 -13 0,1097 -29 0,436 -140 1,22 12,1
137 1,767 -20 0,1105 -33 0,431 -147 1,24 12,0
130 1,738 -27 0,1114 -36 0,426 -153 1,27 11,9
122 1,708 -34 0,1125 -40 0,421 -159 1,30 11,8
114 1,678 -41 0,1138 -43 0,419 -166 1,32 11,7
106 1,651 -49 0,1149 -47 0,417 -172 1,34 11,6
98 1,627 -56 0,1161 -51 0,413 -178 1,36 11,5
90 1,607 -63 0,1180 -55 0,410 176 1,37 11,3
82 1,589 -70 0,1198 -59 0,408 170 1,37 11,2
73 1,570 -78 0,1219 -64 0,404 164 1,37 11,1
65 1,552 -86 0,1242 -69 0,402 157 1,36 11,0
57 1,548 -92 0,1266 -74 0,398 152 1,35 10,9
51 1,554 -98 0,1292 -78 0,396 147 1,32 10,8
47 1,562 -102 0,1319 -81 0,394 143 1,28 10,7
MAG
[dB]
11,7
11,0
10,4
9,9
9,6
9,3
9,1
8,8
8,5
8,3
8,1
7,9
7,7
7,6
7,5
7,4
7,4
7,4
7,6
Semiconductor Group
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Draft D, Sep. 0000