MB85RS1MT Datasheet, PDF (17/36 Pages) Fujitsu Component Limited. – 1M (128 K × 8) ビットSPI

MB85RS1MT
■ 電源投入・切断シーケンス
tpd
tf
VDD
VDD (Min)
VIH (Min)
tr
tpu
VDD
VDD (Min)
VIH (Min)
1.0 V
VIL (Max)
1.0 V
VIL (Max)
GND
CS
CS >VDD × 0.8 ^∗
＊：CS (Max) ＜ VDD ＋ 0.5 V
CS : don't care
GND
CS >VDD × 0.8 ^∗
CS
項目
記号
規格値
最小
最大
単位
電源 OFF 時の CS レベル保持時間
tpd
400
⎯
ns
電源 ON 時の CS レベル保持時間
tpu
250
⎯
μs
電源の立上げ時間
tr
0.05
⎯
ms/V
電源の立下げ時間
tf
0.1
⎯
ms/V
規定されたリードサイクル , ライトサイクルまたは電源投入・切断シーケンスを守らない動作が実行された場合 , 記憶
データの保証はできません。
■ FRAM の特性
項目
規格値
最小
最大
単位
備考
書込み / 読出し耐性
10¹³
⎯
回 / バイト
動作周囲温度 TA ＝＋ 85 ° C
書込みおよび読出し回数の合計
データ保持特性
動作周囲温度 TA ＝＋ 85 ° C
10
⎯
å¹´
出荷直後に初めて読み書きしたデータの保
持時間
( 注意事項 )FRAM は破壊読出しを行っているため , 書込みおよび読出し回数の合計が書込み / 読出し耐性の最小値です。
■ 使用上の注意
リフロー後にデータの書き込みを行ってください。リフロー前のデータは保証できません。
DS501-00022-2v0-J
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