MB85RS1MT Datasheet, PDF (1/36 Pages) Fujitsu Component Limited. – 1M (128 K × 8) ビットSPI

FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00022-2v0-J
メモリ FRAM
1M (128 K ʷ 8) ビット SPI
MB85RS1MT
■ 概　要
MB85RS1MT は , 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲート CMOS プロセスを用いた 131,072
ワード× 8 ビット構成の FRAM (Ferroelectric Random Access Memory：強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。
MB85RS1MT は , シリアルペリフェラルインタフェース (SPI) を採用しています。
MB85RS1MT は , SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用することなくデータ保持が可能です。
MB85RS1MT に採用しているメモリセルは 10¹³ 回の書込み / 読出し動作が可能で , フラッシュメモリや E²PROM の書換
え可能回数を大きく上回ります。
MB85RS1MT はフラッシュメモリや E²PROM のような長い書込み時間は必要とせず , 書込みの待ち時間はゼロです。
したがって , 書込み完了待ちのシーケンスを必要としません。
■ 特　長
・ ビット構成
：131,072 ワード× 8 ビット
・ シリアルペリフェラルインタフェース ：SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード 0 (0, 0) とモード 3 (1, 1) に対応
・ 動作周波数
：1.8 V ～ 2.7 V, 25 MHz (Max)
2.7 V ～ 3.6 V, 30 MHz (Max)
ただし , FSTRD コマンドは 2.7 V ～ 3.6 V, 40 MHz (Max)
・ 書込み / 読出し耐性
：10¹³ 回 / バイト
・ データ保持特性
：10 年 ( ＋ 85 ° C)
・ 動作電源電圧
：1.8 V ～ 3.6 V
・ 低消費電力
：動作電源電流 9.5 mA (Max@30 MHz)
スタンバイ電流 120 μA (Max)
スリープ電流 10 μA (Max)
・ 動作周囲温度
：－ 40 ° C ～＋ 85 ° C
・ パッケージ
：プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。
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2013.8