HYS64V64220GBDL Datasheet, PDF (4/13 Pages) Infineon Technologies AG – 144 pin SO-DIMM SDRAM Modules

HYS64V64220GBDL-7/7.5/8-D
144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
CS1
CS0
DQMB0
DQ(7:0)
CS
CS
DQM
DQM
DQ0-DQ7 DQ0-DQ7
DQMB4
DQ(39:32)
CS
CS
DQM
DQM
DQ0-DQ7 DQ0-DQ7
DQMB1
DQ(15:8)
DQMB2
DQ(23:16)
DQM
DQM
DQ0-DQ7 DQ0-DQ7
D0
D4
CS
DQM
DQ0-DQ7
CS
DQM
DQ0-DQ7
DQMB5
DQ(47:40)
DQMB6
DQ(55:48)
DQM
DQM
DQ0-DQ7 DQ0-DQ7
D2
D6
CS
CS
DQM
DQM
DQ0-DQ7 DQ0-DQ7
DQMB3
DQ(31:24)
DQM
DQM
DQ0-DQ7 DQ0-DQ7
D1
D5
DQMB7
DQ(63:56)
DQM
DQM
DQ0-DQ7 DQ0-DQ7
D3
D7
A0-A12,BA0,BA1
VDD
C
VSS
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D7
RAS, CAS, WE
D0 - D7
CKE0
CKE1
CLK0
CLK1
D0 - D3
D4 - D7
8 Loads
8 Loads
Note: 1. DQ wiring may differ from the description in this
drawing, however DQ/DQMB/CKE/CS relationship
is maintained as shown.
2. In this design each of the D0 - D7 components
are represented by two 32M x 8 chips. These two
chips effectively work as a single 32M x 16 device.
3. All resistors are 10 Ohm.
E²PROM (256wordx8bit)
SA0
SA1
SA2 SCL
SDA
Block Diagram for two bank 64M x 64 SDRAM DIMM - Module
Infineon Technologies
4
2002-08-06