HY57V161610D-I Datasheet, PDF (3/11 Pages) Hynix Semiconductor – 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mx16 Synchronous DRAM
Self Refresh Counter
HY57V161610D-I
Refresh
Interval Timer
Refresh
Counter
Address[0:10]
CLK
CKE
BA(A11)
CS
RAS
CAS
WE
UDQM
LDQM
Precharge
Row Active
Address
Register
Column Active
Burst Length
Counter
512Kx16
Bank 0
Sense AMP & I/O gates
Column Decoder
Overflow
Column Addr.
Latch & Counter
Column Decoder
Sense AMP & I/O gates
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
512Kx16
Bank 1
Mode Register
Rev. 0.3/Mar. 02
Test Mode
I/O Control
3