MB8508S064CE-100 Datasheet, PDF (6/20 Pages) Fujitsu Component Limited. – 8 M x 64 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM SO-DIMM

MB8508S064CE-100/-100L
s BLOCK DIAGRAM
A0 to A11, BA0, BA1
RAS
CAS
WE
DQMB0
CLK0
10 Ω
10 Ω
DQMB1
DQMB2
CLK1
10 Ω
10 Ω
DQMB3
CKE0
CS0
SCL
Add.
DQ0
RAS
DQ1
CAS
DQ2
WE 8 M × 8
DQ3
DQM Chip 0
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CKE CS CLK
Add.
RAS
CAS
WE
DQM
CLK
8M×8
Chip 1
CKE CS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
Add.
RAS
CAS
WE
DQM
8M×8
Chip 2
CKE CS CLK
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
Add.
RAS
CAS
WE
DQM
CLK
8M×8
Chip 3
CKE CS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
SERIAL EEPROM
SCL
A0 A1
SDA
A2
SDA
DQMB4
DQMB5
DQMB6
DQMB7
6
To Top / Lineup / Index
Add.
RAS
CAS
WE
DQM
8M×8
Chip 4
CKE CS CLK
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
Add.
RAS
CAS
WE
DQM
CLK
8M×8
Chip 5
CKE CS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
Add.
RAS
CAS
WE
DQM
8M×8
Chip 6
CKE CS CLK
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
Add.
RAS
CAS
WE
DQM
CLK
8M×8
Chip 7
CKE CS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63