CPH5852 Datasheet, PDF (4/6 Pages) Sanyo Semicon Device – MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode

CPH5852
yfs -- ID
[MOSFET]
10
7
VDS= --10V
5
3
2
25^°C
1.0
7
Ta= ^--25°C 75^°C
5
3
2
0.1
--0.01 ^{2 3 5 7} --0.1 ^{2 3 5 7} --1.0
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
2
VDD= --15V
100 ^{VGS= --10V}
7
5
2 3 5 7 _--10
IT03216
[MOSFET]
3
td(off)
2
10
td(on)
tf
7
5
3
tr
2
1.0
--0.1
23
5 7 _--1.0
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
--10
VDS= --10V
--9 _{ID= --2A}
--8
23
5
IT03218
[MOSFET]
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
1
2
3
4
5
6
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT03220
PD -- Ta
[MOSFET]
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.2
Mounted _{on a ceramic board (600mm 2!0.8mm) 1unit}
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT03222
IS -- VSD
[MOSFET]
--10
7
VGS=0V
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.2
3
2
--0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1 --1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT03217
Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET]
f=1MHz
Ciss
100
7
5
Coss
3
Crss
2
10
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03219
ASO
[MOSFET]
--10
7
5
IDP= --8A
≤10µs
3
2
ID= --2A
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
Operation in this
area is limited by RDS(on).
3 _Ta=25°C
2 _{Single pulse}
--0.01 ^{Mounted on a ceramic board (600mm2!0.8mm) 1unit}
--0.01 ^{2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7} --10 ^{2 3}
5 7--100
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03221
No. A0336-4/6