CPH5852 Datasheet, PDF (3/6 Pages) Sanyo Semicon Device – MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode

CPH5852
Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --15V
ID= --1A
RL=15Ω
D
VOUT
CPH5852
P.G
50Ω
S
trr Test Circuit
[SBD]
Duty≤10%
50Ω
100Ω
10Ω
10µs
--5V
trr
ID -- VDS
[MOSFET]
--2.0
--1.6
--3.5V
--1.2
--0.8
VGS= --3.0V
--0.4
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03212
RDS(on) -- VGS [MOSFET]
400
Ta=25°C
350
300
250
--1.0A
200
ID= --0.5A
150
100
50
0
0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT03214
--5.0
VDS= --10V
--4.5
ID -- VGS
[MOSFET]
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
400
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT03213
RDS(on) -- Ta [MOSFET]
350
300
250
ID= ^{--0.5A, VGS= --4V}
200
150
ID= ^{--1.0A, VGS= --10V}
100
50
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT03215
No. A0336-3/6