K4H561638H Datasheet, PDF (5/24 Pages) Samsung semiconductor – 256Mb H-die DDR SDRAM Specification

K4H561638H
4.0 Pin Description
Only for Aisin-AW
16Mb x 16
Preliminary
Industrial DDR SDRAM
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
AP/A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
66
2
65
3
64
4
63
5
62
6
61
7
60
8
59
9
58
10
66Pin TSOPII
57
11
(400mil x 875mil)
56
12
(0.65mm Pin Pitch)
55
13
54
14
53
15
Bank Address
BA0~BA1
16
52
51
17
50
18
19
Auto Precharge
A10
49
48
20
47
21
46
22
45
23
44
24
43
25
42
26
41
27
40
28
39
29
38
30
37
31
36
32
35
33
34
256Mb TSOP-II Package Pinout
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
CK
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
16M x 16
1
VSSQ
2
DQ15
3
VSS
A
7
VDD
8
DQ0
9
VDDQ
DQ14
VDDQ
DQ13
B
DQ2
VSSQ
DQ1
DQ12
VSSQ
DQ11
C
DQ4
VDDQ
DQ3
DQ10
VDDQ
DQ9
D
DQ6
VSSQ
DQ5
DQ8
VSSQ
UDQS
E
LDQS
VDDQ
DQ7
VREF
VSS
UDM
F
LDM
VDD
NC
CK
CK
G
WE
CAS
A12
CKE
H
RAS
CS
A11
A8
A6
A9
A7
A5
J
K
L
BA1
A0
A2
BA0 A10/AP A1
A4
VSS
M
VDD
A3
Note :
1. In case of only 8 or 4 DQs out of 16 DQs are used, UDQS and DQ0~7 must be used.
Organization
16Mx16
Row Address
A0~A12
Column Address
A0-A8
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Row & Column address configuration
Rev. 1.2 January 2006