Q65110A1574 Datasheet, PDF (4/14 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Silizium-Fototransistor im MIDLED-Gehäuse

Version 1.1
SFH 3605
Grouping (T_A = 25 °C, λ = 950 nm)
Gruppierung
Group
Min Photocurrent Max
Photocurrent
Gruppe
Min Fotostrom Max Fotostrom
E_e = 0.1 mW/cm², E_e = 0.1 mW/cm²,
V_CE = 5 V
V_CE = 5 V
I_{PCE, min} [µA]
I_{PCE, max} [µA]
-2
100
200
-3
160
320
-4
250
500
Rise and fall time Collector-emitter
saturation
voltage
Anstiegs- und
Abfallzeit
Kollektor-Emitter
Sättigungsspann
ung
I_C = 100 μA, V_CC =
5 V, R_L = 10 kΩ
(typ) t_r, t_f [µs]
30
I_C = I_PCEmin x 0.3,
E_e = 0.1 mW/cm²
(typ) V_CEsat [mV]
150
45
150
70
150
Note.: I_PCEmin is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.: I_PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
Relative Spectral Sensitivity ^{3) page 13}
Relative spektrale Empfindlichkeit ^{3) Seite 13}
S_rel = f(λ), axial direction
100
OHF02405
S_rel ^%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 500 600 700 800 900 nm 1100
λ
Photocurrent ^{3) page 13}
Fotostrom ^{3) Seite 13}
I_PCE / I_PCE(25°C) = f(T_A), V_CE = 5 V
Ι _PCE ^1.6
Ι _PCE25
1.4
OHF01524
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25 0 25 50 75 C 100
T_A
2014-02-19
4