Q65110A1574 Datasheet, PDF (3/14 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Silizium-Fototransistor im MIDLED-Gehäuse

Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
Half angle
Halbwinkel
Capacitance
Kapazität
(V_CE = 5 V, f = 1 MHz, E = 0)
Dark current
Dunkelstrom
(V_CE = 20 V, E = 0)
(typ)
(typ)
Symbol
Symbol
ϕ
C_CE
(typ (max)) I_CE0
SFH 3605
Values
Werte
± 20
1.3
Unit
Einheit
°
pF
1 (≤ 50)
nA
2014-02-19
3