Q65110A1574 Datasheet, PDF (2/14 Pages) OSRAM GmbH – NPN-Silizium-Fototransistor im MIDLED-Gehäuse

Version 1.1
SFH 3605
Maximum Ratings (T_A = 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector current
Kollektorstrom
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
Emitter-collector voltage
Emitter-Kollektor-Spannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance junction - ambient ^{1) page 13}
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
1) Seite 13
Thermal restistance junction ^{2) page 13}
Wärmewiderstand Sperrschicht/Lötstelle ^{2) Seite 13}
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
V_CE
I_C
I_CS
V_EC
P_tot
R_thJA
R_thJS
Values
Werte
-40 ... 100
35
15
75
7
130
340
180
Unit
Einheit
°C
V
mA
mA
V
mW
K/W
K/W
Characteristics (T_A = 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
(typ)
(typ)
(typ)
(typ)
Symbol
Symbol
λ_{S max}
λ_10%
A
LxW
Values
Werte
990
Unit
Einheit
nm
(typ) 500
... 1100
0.04
nm
mm²
(typ) 0.35 mm x
x 0.35
mm
2014-02-19
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