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MRF1535T1 Datasheet, PDF (8/16 Pages) Motorola, Inc – RF Power Field Effect Transistor | |||
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Table 5. Common Source Scattering Parameters (VDD = 12.5 Vdc)
IDQ = 250 mA
f
MHz
S11
|S11|
â Ï
S21
|S21|
â Ï
50
0.89
â173
8.496
83
100
0.90
â175
3.936
72
150
0.91
â175
2.429
63
200
0.92
â175
1.627
57
250
0.94
â176
1.186
53
300
0.95
â176
0.888
49
350
0.96
â176
0.686
48
400
0.96
â176
0.568
44
450
0.97
â176
0.457
44
500
0.97
â176
0.394
44
550
0.98
â176
0.332
42
600
0.98
â177
0.286
41
f
MHz
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
S11
|S11|
â Ï
0.90
â173
0.90
â175
0.91
â175
0.92
â175
0.94
â176
0.95
â176
0.96
â176
0.96
â176
0.97
â176
0.97
â176
0.98
â176
0.98
â177
|S21|
8.49
3.92
2.44
1.62
1.19
0.89
0.69
0.57
0.46
0.39
0.33
0.28
IDQ = 1.0 A
S21
â Ï
83
72
63
57
53
48
48
44
44
44
41
41
f
MHz
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
S11
|S11|
â Ï
0.94
â176
0.94
â178
0.94
â178
0.94
â178
0.95
â178
0.95
â178
0.95
â178
0.96
â178
0.96
â178
0.96
â177
0.97
â177
0.97
â178
|S21|
9.42
4.56
2.99
2.14
1.67
1.32
1.08
0.93
0.78
0.68
0.59
0.51
IDQ = 2.0 A
S21
â Ï
88
82
78
74
71
67
67
63
62
61
58
57
S12
|S12|
â Ï
0.014
â26
0.014
â14
0.011
â23
0.010
â44
0.007
â16
0.005
â44
0.005
36
0.005
â1
0.004
49
0.003
â51
0.001
31
0.013
99
S12
|S12|
â Ï
0.006
â39
0.009
â5
0.006
7
0.008
21
0.006
8
0.008
3
0.007
48
0.004
41
0.004
43
0.003
57
0.006
62
0.009
96
S12
|S12|
â Ï
0.005
â72
0.005
4
0.003
7
0.005
17
0.004
40
0.007
35
0.005
57
0.003
50
0.007
68
0.004
99
0.008
78
0.009
92
MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1
8
S22
|S22|
â Ï
0.76
â170
0.79
â170
0.82
â170
0.86
â170
0.88
â170
0.91
â171
0.92
â170
0.94
â171
0.94
â172
0.95
â171
0.95
â173
0.94
â173
S22
|S22|
â Ï
0.86
â176
0.86
â176
0.87
â176
0.88
â175
0.89
â174
0.89
â174
0.91
â174
0.93
â173
0.93
â173
0.94
â173
0.94
â174
0.93
â173
S22
|S22|
â Ï
0.89
â177
0.89
â177
0.89
â177
0.90
â176
0.90
â175
0.91
â175
0.92
â174
0.93
â173
0.93
â173
0.94
â173
0.93
â175
0.92
â174
RF Device Data
Freescale Semiconductor
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