JCS9N50T Datasheet, PDF (4/10 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
t_d(on)
t_r
V_DD=250V,I_D=9A,R_G=25Ω
（note 4，5）
延迟时间 Turn-Off delay time
t_d(off)
下降时间 Turn-Off Fall time
t_f
栅极电荷总量 Total Gate Charge Q_g
V_DS =400V ,
栅－源电荷 Gate-Source charge
Q_gs
栅－漏电荷 Gate-Drain charge
Q_gd
I_D=9A
V_GS =10V （note 4，5）
JCS9N50T
- 64 83 ns
- 52 68 ns
- 101 135 ns
- 66 91 ns
- 29 38 nC
- 6.3 - nC
- 12 - nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
I_S
- -9 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
I_SM
- - 36 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V_SD
V_GS=0V, I_S=9A
- - 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
t_rr
V_GS=0V, I_S=9A
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
dI_F/dt=100A/μs
Q_rr
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
(note 4)
- 341 - ns
- 2.97 - μC
项目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
符号
Symbol
Rth(j-c)
最大
Max
JCS9N50CT
JCS9N50FT
0.79
2.6
单位
Unit
℃/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
62.5
℃/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=8.2mH, I_AS=9A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,起始结温
T_J=25℃
3：I_SD ≤9A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV_DSS,起始结温
T_J=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=8.2mH, I_AS=9A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,Starting
T_J=25℃
3：I_SD ≤9A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV_DSS, Starting
T_J=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201010C
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