JCS9N50T Datasheet, PDF (2/10 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
JCS9N50T
项目
Parameter
符号
Symbol
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
V_DSS
连续漏极电流
Drain Current -continuous
I_D
T=25℃
T=100℃
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
（note 1）
I_DM
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
V_GSS
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） ^EAS
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
I_AR
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current（note 1） ^EAR
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
dv/dt
数值
Value
JCS9N50CT JCS9N50FT
单位
Unit
500
500
V
9
9*
A
5.7
5.7*
A
36
36*
A
±30
V
369
mJ
9
A
15.8
mJ
4.5
V/ns
耗散功率
Power Dissipation
P_D
T_C=25℃
-Derate
above
25℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
引线最高焊接温度
T_J，T_STG
Maximum Lead Temperature for
T_L
Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
158
48
1.27
0.38
-55～+150
300
W
W/℃
℃
℃
版本：201010C
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