JCS1HN65C Datasheet, PDF (4/9 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – High efficiency switch mode power supplies

R
JCS1HN65C
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
t_d(on)
t_r
V_DD=300V,I_D=1.0A,R_G=25Ω - 9 20 ns
（note 4，5）
- 32 80 ns
延迟时间 Turn-Off delay time
t_d(off)
- 16 41 ns
下降时间 Turn-Off Fall time
t_f
- 28 60 ns
栅极电荷总量 Total Gate Charge Q_g
栅－源电荷 Gate-Source charge Q_gs
栅－漏电荷 Gate-Drain charge
Q_gd
V_DS =480V ,
- 2.5 3.5 nC
I_D=1.0A
- 0.5 - nC
V_GS =10V （note 4，5） _{- 1.2 - nC}
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
I_S
- - 1.0 A
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
I_SM
- - 4.0 A
Drain-Source Diode Forward
V_SD
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
t_rr
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Q_rr
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
V_GS=0V, I_S=1.0A
-
-
V_GS=0V, I_S=1.0A
dI_F/dt=100A/μs (note 4)
-
符号
Symbol
Rth(j-c)
Rth(j-A)
最大
Max
JCS1HN65TC
－
120
- 1.0 V
185 - ns
0.51 - μC
单位
Unit
℃/W
℃/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=36mH, I_AS=1.0A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,起始结
温 T_J=25℃
3：I_SD ≤1.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV_DSS,起始结温
T_J=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1 ： Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=36mH, I_AS=1.0A, V_DD=50V, R_G=25 Ω, Starting
T_J=25℃
3 ： I_SD ≤1.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV_DSS, Starting
T_J=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201311A
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