JCS1HN65C Datasheet, PDF (2/9 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – High efficiency switch mode power supplies

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
Parameter
符号
Symbol
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
V_DSS
连续漏极电流
Drain Current -continuous
I_D T=25℃
T=100℃
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse （note 1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
I_DM
V_GSS
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） ^EAS
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
I_AR
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Energy
E_AR
（note 1）
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）
Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） ^dv/dt
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
P_D
T_C=25℃
-Derate
above 25℃
Operating and Storage
Range
引线最高焊接温度
Temperature
T_J，T_STG
Maximum Lead Temperature for Soldering T_L
Purposes
JCS1HN65C
数值
Value
JCS1HN65C
650
0.5
0.31
2.0
±30
20
1.0
单位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
2.0
mJ
4.2
3.0
0.025
V/ns
W
W/℃
-55～+150
℃
300
℃
版本：201311A
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