JCS10N65T Datasheet, PDF (4/10 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
t_d(on)
t_r
V_DD=300V,I_D=9.5A,R_G=25Ω
（note 4，5）
延迟时间 Turn-Off delay time
t_d(off)
下降时间 Turn-Off Fall time
t_f
栅极电荷总量 Total Gate Charge Q_g
V_DS =480V ,
栅－源电荷 Gate-Source charge
Q_gs
栅－漏电荷 Gate-Drain charge
Q_gd
I_D=9.5A
V_GS =10V （note 4，5）
JCS10N65T
- 68 91 ns
- 109 150 ns
- 214 300 ns
- 85 165 ns
- 34 45 nC
- 6.9 - nC
- 12 - nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
I_S
- - 9.5 A
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
I_SM
- - 38 A
Drain-Source Diode Forward
V_SD
V_GS=0V, I_S=9.5A
- 1.05 - V
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
t_rr
V_GS=0V, I_S=9.5A
- 425 - ns
dI_F/dt=100A/μs (note 4)
Q_rr
- 4.31 - μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
符号
Symbol
最大
Max
JCS10N65CT JCS10N65FT
单位
Unit
结到管壳的热阻
Rth(j-c)
0.7
Thermal Resistance, Junction to Case
2.5
℃/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
62.5
℃/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=14.5mH, I_AS=9.5A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,起始
结温 T_J=25℃
3：I_SD ≤9.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV_DSS,起始结温
T_J=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=14.5mH, I_AS=9.5A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,Starting
T_J=25℃
3：I_SD ≤9.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV_DSS, Starting
T_J=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201010C
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