JCS10N65T Datasheet, PDF (3/10 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项目
符号
测试条件
Parameter
关态特性 Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Symbol
Tests conditions
BV_DSS
I_D=250μA, V_GS=0V
ΔBV_DSS/Δ I_D=250μA, referenced to
T_J
25℃
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
I_DSS
正向栅极体漏电流
V_DS=650V,V_GS=0V,
T_C=25℃
V_DS=520V, T_C=125℃
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极体漏电流
I_GSSF
V_DS=0V, V_GS =30V
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
I_GSSR
V_DS=0V, V_GS =-30V
V_GS(th)
V_DS = V_GS , I_D=250μA
Static Drain-Source
R_DS(ON)
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
g_fs
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
C_iss
输出电容
Output capacitance
C_oss
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C_rss
V_GS =10V , I_D=4.75A
V_DS = 40V, I_D=4.75A（note
4）
V_DS=25V,
V_GS =0V,
f=1.0MH_Z
JCS10N65T
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Units
650 - - V
- 0.68 - V/℃
- - 1 μA
- - 10 μA
- - 100 nA
- - -100 nA
3.0 - 5.0 V
- 0.85 0.95 Ω
- 8.2 - S
- 1610 2065 pF
- 156 210 pF
- 20 26 pF
版本：201010C
3/10