JCS10N65T Datasheet, PDF (2/10 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
JCS10N65T
项目
Parameter
符号
Symbol
数值
Value
单位
Unit
JCS10N65CT JCS10N65FT
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
V_DSS
650
650
V
连续漏极电流
Drain Current -continuous
I_D
9.5
T=25℃
T=100℃
6.0
9.5*
A
6.0*
A
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current – pulse（note 1）
I_DM
40
40*
A
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
V_GSS
±30
V
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） ^EAS
713
mJ
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
I_AR
9.5
A
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current（note 1） ^EAR
17.8
mJ
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
dv/dt
4.5
V/ns
耗散功率
Power Dissipation
P_D
T_C=25℃
-Derate
above 25℃
178
1.43
50
W
0.4
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature Range ^TJ，TSTG
-55～+150
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for Soldering T_L
Purposes
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201010C
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