JCS830 Datasheet, PDF (2/14 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
JCS830
项目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
符号
Symbol
JCS830V/R
数值
Value
JCS830S/B/C
V_DSS
500
连续漏极电流
I_D
4.5
T=25℃
Drain Current -continuous
T=100℃
2.9
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
（note I_DM
18
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
V_GSS
±30
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy E_AS
270
（note 2）
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
I_AR
4.5
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current
E_AR
7.3
（note 1）
二极管反向恢复最大电压变化速
率（注 3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note ^dv/dt
5.5
3）
耗散功率
Power Dissipation
P_D
59
73
T_C=25℃
-Derate
0.48
0.58
above
25℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
T_J，T_STG
-55～+150
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for T_L
300
Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
JCS830F
4.5*
2.9*
18*
38
0.3
单
位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本：201007A
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