JCS650 Datasheet, PDF (2/10 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
JCS650
项目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
符号
Symbol
V_DSS
JCS650C
数值
Value
JCS650F
200
连续漏极电流
Drain Current -continuous
最大脉冲漏极电流（注 1）
I_D
T=25℃
T=100℃
28
17.7
28*
17.7*
Drain Current - pulse
（note 1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量（注 2）
I_DM
V_GSS
112
112*
±30
Single Pulsed Avalanche
E_AS
575
Energy（note 2）
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1） ^IAR
28
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current E_AR
（note 1）
15.8
二极管反向恢复最大电压变化
速率（注 3）
dv/dt
5.5
Peak Diode Recovery dv/dt
（note 3）
P_D
158
50
耗散功率
T_C=25℃
-Derate
Power Dissipation
1.265
0.40
above
25℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
T_J，T_STG
-55～+150
Maximum Lead Temperature T_L
300
for Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
单
位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本：201008A
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