FP75R17N3E4 Datasheet, PDF (8/13 Pages) Infineon Technologies AG – EconoPIM™3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FP75R17N3E4
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=900V
50
Eon, Tvj = 125°C
45
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
40
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
1
ZthJC : IGBT
35
0,1
30
25
20
0,01
15
10
5
0
0
0,001
6
12 18 24 30 36 42
0,001
RG [Ω]
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,027 0,081 0,108 0,054
τi[s]: 0,01 0,04 0,06 0,3
0,1
1
10
t [s]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=4.3Ω,Tvj=150°C
180
IC, Modul
IC, Chip
160
140
120
100
80
60
40
20
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
150
135
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
120
105
90
75
60
45
30
15
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
VF [V]
preparedby:MB
approvedby:RS
dateofpublication:2016-06-07
revision:V3.0
8