FP75R17N3E4 Datasheet, PDF (7/13 Pages) Infineon Technologies AG – EconoPIM™3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FP75R17N3E4
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
150
135
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
120
105
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
150
135
120
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
105
90
90
75
75
60
60
45
45
30
30
15
15
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VCE [V]
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
150
135
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
120
105
90
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=4.3Ω,RGoff=4.3Ω,VCE=900V
60
Eon, Tvj = 125°C
55
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
50
Eoff, Tvj = 150°C
45
40
35
75
30
60
25
20
45
15
30
10
15
5
0
5
6
7
8
9 10 11 12 13
VGE [V]
0
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
IC [A]
preparedby:MB
approvedby:RS
dateofpublication:2016-06-07
revision:V3.0
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