BPX65 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Siemens Semiconductor Group – Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode

BPX 65
BPX 66
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, T_A = 25 ^oC
Total power dissipation
Symbol
Symbol
T_op; T_stg
T_S
V_R
P_tot
Wert
Value
–40 ... +80
230
Einheit
Unit
o_C
o_C
50
V
250
mW
Kennwerte (T_A = 25 ^oC, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (T_A = 25 ^oC, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit, V_R = 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S_max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S_max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Symbol
Symbol
S
λ_{S max}
λ
A
LxB
LxW
H
ϕ
Wert
Value
10 (≥ 5.5)
Einheit
Unit
nA/Ix
850
nm
350 ... 1100 nm
1.00
1x1
mm²
mm
2.25 ... 2.55 mm
± 40
Grad
deg.
Semiconductor Group
343